Компания Qualcomm официально анонсировала процессор Snapdragon 835. Производитель чипов Qualcomm объединился с компанией Samsung, чтобы разработать новый чип, который построен на 10 nm технологии.
Новый процесс собран по технологии FinFET от Samsung, позволит до 30 % увеличить эффективность и на 27 % улучшит производительность и до 40 % будет уменьшено потребление энергии по сравнению с предыдущей версией. Еще одной важной функцией станет мониторинг батареи во время зарядки, когда будет производиться контроль тока и напряжения, чтобы не допустить перегрева и выхода из строя аккумулятора. Все это обеспечивается системой INOV третьего поколения — Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (интеллектуальная настройка оптимального напряжения).
Snapdragon 835 будет поддерживать подключение через интерфейсы USB Power Delivery и USB Type-C.